半導體記憶體元件實驗室
實驗室管理： 楊宜霖 (Yi-Lin Yang) 老師|實驗室分機：7958
指導教授：楊宜霖 老師｜分機：7958
一、實驗室簡介
本實驗室由楊宜霖博士主持，實驗室位於國立高雄師範大學科技大樓TC540及TC541。主要致力於金氧半(MOS)元件之製程及特性之研究。如：新型奈米半導體元件特性模擬、奈米半導體元件先進製程開發、新型奈米半導體元件的設計、奈米半導體元件電性與可靠性檢測、奈米半導體元件隨機電報雜訊分析。
二、實驗室設備
磁控濺鍍設備
本實驗室長期與高雄大學半導體實驗室合作，具先進半導體元件電性測量設備
三、實驗室守則
注重團隊合作，能與同學及師長相互協助，相互討論所學
研究生應本著積極敬業態度、追求新知精神從事研究生學習工作
研究生在學期間所有研究相關之技術研發過程與結果，其智財權均屬於本研究室所有。
若有必要，需簽訂NDA，畢業後仍須負有保密義務
本實驗室由楊宜霖博士主持，實驗室位於國立高雄師範大學科技大樓TC540及TC541。主要致力於金氧半(MOS)元件之製程及特性之研究。如：新型奈米半導體元件特性模擬、奈米半導體元件先進製程開發、新型奈米半導體元件的設計、奈米半導體元件電性與可靠性檢測、奈米半導體元件隨機電報雜訊分析。
二、實驗室設備
磁控濺鍍設備
本實驗室長期與高雄大學半導體實驗室合作，具先進半導體元件電性測量設備
三、實驗室守則
注重團隊合作，能與同學及師長相互協助，相互討論所學
研究生應本著積極敬業態度、追求新知精神從事研究生學習工作
研究生在學期間所有研究相關之技術研發過程與結果，其智財權均屬於本研究室所有。
若有必要，需簽訂NDA，畢業後仍須負有保密義務
實驗室學生(Click)| 級別 | 姓名 | 論文 |
| 電碩101級 | 王士豪 | 通道摻雜溫度對超薄絕緣層上矽金氧半場效電晶體元件可靠度之研究 |
| 電碩102級 | 嚴子松 | 對N型和P型鰭式場效應電晶體特性和可靠度之研究 |
| 電碩104級 | 王佐禮 | 熱載子效應致使N型鰭式場效電晶體退化之可靠度研究 |
| 電碩107級 | 賴致睿 | 熱載子效應致使不同通道長度及功函數之P型鰭式場效電晶體退化之可靠度研究 |
| 電碩109級 | 楊禮全 | 平面與側壁衰退對P型FinFET元件可靠度的影響 |
| 電碩110級 | 李奇翰 | |
| 電碩110級 | 黃新文 | |
| 電碩111級 | 吳柏瑭 |
實驗室照片
